半導體LED燈替代白熾燈與日光燈是大勢所趨，在這一領域，日美等國占盡先機，分別壟斷了藍寶石襯底和碳化硅襯底半導體LED技術路線。在此情況下，教育部發光材料與器件工程研究中心(南昌大學)創造性發展了一條新的半導體LED技術路線———硅襯底半導體LED技術路線，改變了日美等國壟斷這一領域核心技術的局面，改寫了世界LED歷史。經過3000多次實驗，江風益和他的團隊頂住了業界的懷疑與不解，無怨無悔地堅守著硅襯底技術，終于從跟蹤走向了跨越，發明了一種特殊過渡層和特定的硅表面加工技術，克服了外延層和襯底之間巨大的晶格失配和熱失配，在第一代半導體硅材料上，成功地制備了高質量的量子阱結構的第三代半導體GaN材料，研制成功硅襯底藍光、綠光和白光LED。其發光效率、可靠性與器件壽命等各項技術指標在同類研究中處于國際領先地位，并在國際上率先實現了這一新技術產品的批量生產。采用該成果生產的LED芯片成本顯著低于藍寶石襯底和碳化硅襯底LED芯片。該技術對藍光LED來說是一種改寫歷史的新技術。該成果還制備出全球第一塊硅襯底LED全彩色顯示顯像屏(其中藍光和綠光LED是在硅襯底上制備的)。

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